TK100L60W,VQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK100L60W,VQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK100L60W,VQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P(L)
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

18 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

797W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3PL
Otros nombres

TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

360nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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TK10A55D(STA4,Q,M)

Descripción: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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