TK10A80E,S4X

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Especificaciones

Número de pieza

TK10A80E,S4X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK10A80E,S4X.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220SIS
Serie

π-MOSVIII
RDS (Max) @Id, Vgs

1 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TK10A80E,S4X(S
TK10A80ES4X
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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TK10A60E,S4X

Descripción: MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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