TK17A80W,S4X

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Especificaciones

Número de pieza

TK17A80W,S4X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK17A80W,S4X.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

2050pF @ 300V
Tensión - Desglose

TO-220SIS
VGS (th) (Max) @Id

290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

DTMOSIV
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

17A (Ta)
Polarización

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TK17A80W,S4X(S
TK17A80WS4X
Temperatura de funcionamiento

150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Número de pieza del fabricante

TK17A80W,S4X
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

32nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 850µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800V
relación de capacidades

45W (Tc)

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TK18E10K3,S1X(S

Descripción: MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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