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3825036Imagen TK1K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and Storage

TK1K2A60F,S4X

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TK1K2A60F,S4X
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TK1K2A60F,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 630µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220SIS
  • Serie
    U-MOSIX
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    35W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack
  • Otros nombres
    TK1K2A60F,S4X(S
    TK1K2A60FS4X
    TK1K2A60FS4X(S
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    Not Applicable
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 300V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

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