TK380P65Y,RQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK380P65Y,RQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK380P65Y,RQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 360µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

DTMOSV
RDS (Max) @Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

80W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TK380P65Y,RQ(S
TK380P65YRQ(S
TK380P65YRQTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 9.7A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Tc)

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TK3A65DA(STA4,QM)

Descripción: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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