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3776645Imagen TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W,S1VF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TK39N60W,S1VF
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TK39N60W,S1VF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.7V @ 1.9mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    65 mOhm @ 19.4A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    270W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    TK39N60W,S1VF(S
    TK39N60WS1VF
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4100pF @ 300V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Super Junction
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    38.8A (Ta)

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