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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > TK9A65W,S5X

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Imagen TK9A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

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Especificaciones

Número de pieza

TK9A65W,S5X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK9A65W,S5X.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 350µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220SIS
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

500 mOhm @ 4.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TK9A65W,S5X(M
TK9A65WS5X
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 9.3A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta)

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