TK9J90E,S1E

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Especificaciones

Número de pieza

TK9J90E,S1E
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK9J90E,S1E.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 900µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P(N)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres

TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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