TPH1R712MD,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPH1R712MD,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH1R712MD,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

78W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

182nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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