TPH2900ENH,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPH2900ENH,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH2900ENH,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

78W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta)

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