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Imagen TP65H035WS

Transphorm

TP65H035WS

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Especificaciones

Número de pieza

TP65H035WS
Fabricante / Marca

Transphorm
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

650 V 46.5 CASCODE GAN FET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TP65H035WS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.8V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

41 mOhm @ 30A, 8V
La disipación de energía (máximo)

156W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

46.5A (Tc)

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