TPH3212PS

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Especificaciones

Número de pieza

TPH3212PS
Fabricante / Marca

Transphorm
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 650V 27A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH3212PS.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 400uA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

72 mOhm @ 17A, 8V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

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