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Imagen TPH3208LDG

Transphorm

TPH3208LDG

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Especificaciones

Número de pieza

TPH3208LDG
Fabricante / Marca

Transphorm
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH3208LDG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 300µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

PQFN (8x8)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 13A, 8V
La disipación de energía (máximo)

96W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

3-PowerDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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