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6060436Imagen BYC10X-600PQWeEn Semiconductors Co., Ltd

BYC10X-600PQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYC10X-600PQ
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BYC10X-600PQ.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.9V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220FP
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    40ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Otros nombres
    1740-1249
    568-11666
    568-11666-ND
    934068053127
    BYC10X-600PQ-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220FP
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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BYC10-600PQ

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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Descripción: BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

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