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1420271Imagen BYC10-600PQWeEn Semiconductors Co., Ltd

BYC10-600PQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYC10-600PQ
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    19ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    1740-1248
    568-11665
    568-11665-ND
    934068049127
    BYC10-600PQ-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: BYC15-1200PQ/TO-220AC/STANDARD M

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
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BYC15-600,127

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 15A TO220AC

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Descripción: BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 20A TO220F

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BYC10DX-600,127

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC

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