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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W947D6HBHX5E TR
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490060Imagen W947D6HBHX5E TRWinbond Electronics Corporation

W947D6HBHX5E TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W947D6HBHX5E TR
  • Fabricante / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    W947D6HBHX5E TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    60-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    W947D6HBHX5E CT
    W947D6HBHX5E CT-ND
    W947D6HBHX5ECT
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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