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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W947D2HBJX5E

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Imagen W947D2HBJX5E

Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5E

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240+

$2.946

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Especificaciones

Número de pieza

W947D2HBJX5E
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

W947D2HBJX5E.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR
Paquete del dispositivo

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (4M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

5ns

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