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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > W9864G6KH-6 TR
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2016560Imagen W9864G6KH-6 TRWinbond Electronics Corporation

W9864G6KH-6 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W9864G6KH-6 TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    W9864G6KH-6 TR-ND
    W9864G6KH-6TR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6JH-5

W9864G6JH-5

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6JT-6

W9864G6JT-6

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G2JH-6

W9864G2JH-6

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6JB-6

W9864G6JB-6

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6JH-6I

W9864G6JH-6I

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles
W9864G6IH-6

W9864G6IH-6

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
Existencias disponibles

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