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346109Imagen W987D6HBGX6EWinbond Electronics Corporation

W987D6HBGX6E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    W987D6HBGX6E
  • Fabricante / Marca
    Winbond Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    W987D6HBGX6E.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paquete del dispositivo
    54-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E TR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricantes: Winbond Electronics Corporation
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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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