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SemiQ

SemiQ

Introducción

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

Noticias relaciondas

Categoría
7
Productos
373

Productos semiconductores discretos

GSXD060A008S1-D3

GSXD060A008S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD160A010S1-D3

GSXD160A010S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D008A120C

GP2D008A120C

Descripción: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Descripción: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Descripción: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M005A050H

GP1M005A050H

Descripción: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Descripción: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Descripción: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Descripción: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Descripción: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD080A018S1-D3

GSXD080A018S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Descripción: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHXS060A120S-D3

GHXS060A120S-D3

Descripción: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP3D030A060B

GP3D030A060B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D012A065C

GP2D012A065C

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Descripción: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1

Descripción: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D010A120A

GP2D010A120A

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Descripción: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXF100A100S1-D3

GSXF100A100S1-D3

Descripción: DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GDP12S060A

GDP12S060A

Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Descripción: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHIS100A120S1-E1

GHIS100A120S1-E1

Descripción: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Descripción: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Descripción: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHXS010A060S-D1

GHXS010A060S-D1

Descripción: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Descripción: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D003A060C

GP2D003A060C

Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Descripción: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHXS020A060S-D3

GHXS020A060S-D3

Descripción: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD120A018S1-D3

GSXD120A018S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D016A120U

GP2D016A120U

Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD120A015S1-D3

GSXD120A015S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Descripción: SILICON IGBT MODULES

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP2D006A060A

GP2D006A060A

Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD080A010S1-D3

GSXD080A010S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Descripción: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHXS050A170S-D3

GHXS050A170S-D3

Descripción: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHIS040A060S-A1

GHIS040A060S-A1

Descripción: IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD060A004S1-D3

GSXD060A004S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Descripción: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GHXS015A120S-D1E

GHXS015A120S-D1E

Descripción: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD080A020S1-D3

GSXD080A020S1-D3

Descripción: DIODE 200V 80A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M012A060FH

GP1M012A060FH

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD100A010S1-D3

GSXD100A010S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GDP12S060D

GDP12S060D

Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Descripción: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
GSXD050A015S1-D3

GSXD050A015S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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