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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BD159

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4329523

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD159

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Especificaciones

Número de pieza

BD159
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

BD159.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-225AA
Serie

-
Potencia - Max

20W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

BD159

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