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465308Imagen BD159GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD159G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BD159G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BD159G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    350V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    -
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    20W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Otros nombres
    BD159G-ND
    BD159GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-225AA
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA
  • Número de pieza base
    BD159

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Descripción: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IC REG LIN 1.5V 300MA 8HTSOP-J

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN 350V 0.5A TO-126

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IC REG BUCK ADJ 2A SYNC 18HTSOP

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Descripción: IC REG LIN 1.5V 300MA 8HTSOP-J

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