FDMC008N08C

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC008N08C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDMC008N08C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 120µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.8 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo)

57W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

34 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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FDMC0310AS-F127

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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