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108023Imagen FDMB2308PZAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMB2308PZ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDMB2308PZ
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH MLP2X3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FDMB2308PZ.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    6-MLP (2x3)
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    36 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-WDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    FDMB2308PZ-ND
    FDMB2308PZTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    39 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3030pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual) Common Drain
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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