FDMB3900AN

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Especificaciones

Número de pieza

FDMB3900AN
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMB3900AN.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max

800mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMB3900AN-ND
FDMB3900ANTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMB668P

Descripción: MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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