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Imagen FDS8960C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8960C

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Especificaciones

Número de pieza

FDS8960C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS8960C.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS8960CDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.7nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

35V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 35V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5A

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