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Imagen FDS8984-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8984-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDS8984-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS8984-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max

1.6W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FDS8984-F085TR
FDS8984_F085
FDS8984_F085TR
FDS8984_F085TR-ND
FDS8984F085
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.6W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A

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