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FDWS9508L-F085

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDWS9508L-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FDWS9508L-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PQFN (5x6)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 80A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    214W (Tj)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4840pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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