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FDWS9508L_F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDWS9508L_F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH PWR TRENCH PT8-40V
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDWS9508L_F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.9 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4840pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

107nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 80A (Tc) 214W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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