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FDWS9509L-F085

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDWS9509L-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PMOS PWR56 40V 8 MOHM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FDWS9509L-F085.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (5.1x6.3)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 mOhm @ 65A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    107W (Tj)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    FDWS9509L-F085OSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3360pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 65A (Tc) 107W (Tj) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)

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