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306568Imagen HGT1S12N60A4S9AAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S12N60A4S9A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HGT1S12N60A4S9A
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 54A 167W TO263AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HGT1S12N60A4S9A.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 12A
  • Condición de prueba
    390V, 12A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    17ns/96ns
  • Cambio de Energía
    55µJ (on), 50µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-263AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    167W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    HGT1S12N60A4S9ATR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    78nC
  • Descripción detallada
    IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    96A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    54A
  • Número de pieza base
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