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5213581Imagen HGT1S20N35G3VLSAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HGT1S20N35G3VLS
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 380V 20A 150W TO263AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HGT1S20N35G3VLS.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    375V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 5V, 20A
  • Condición de prueba
    300V, 10A, 25 Ohm, 5V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    -/15µs
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    TO-263AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    150W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Logic
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    28.7nC
  • Descripción detallada
    IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    20A

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RFQ
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Descripción: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

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Descripción: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

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Descripción: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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HGT1S12N60A4DS

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Descripción: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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Descripción: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

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RFQ
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Descripción: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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