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Imagen HGTG27N120BN

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG27N120BN

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Especificaciones

Número de pieza

HGTG27N120BN
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 72A 500W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HGTG27N120BN.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 27A
Condición de prueba

960V, 27A, 3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

24ns/195ns
Cambio de Energía

2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Potencia - Max

500W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
puerta de carga

270nC
Descripción detallada

IGBT NPT 1200V 72A 500W Through Hole TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

216A
Corriente - colector (Ic) (Max)

72A

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