IRF644B-FP001

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Especificaciones

Número de pieza

IRF644B-FP001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRF644B-FP001.pdf
2.IRF644B-FP001.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

280 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

139W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IRF644B_FP001
IRF644B_FP001-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 14A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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