IRF644N

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Especificaciones

Número de pieza

IRF644N
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF644N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 8.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRF644N
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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