IRF640S

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Especificaciones

Número de pieza

IRF640S
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF640S.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 130W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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