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MJB44H11T4G

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Especificaciones

Número de pieza

MJB44H11T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJB44H11T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

MJB44H11T4G-ND
MJB44H11T4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

50MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A
Número de pieza base

MJB44H11

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MJB44H11G

Descripción: TRANS NPN 80V 10A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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