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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJB44H11T4-A
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5457464Imagen MJB44H11T4-ASTMicroelectronics

MJB44H11T4-A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJB44H11T4-A
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJB44H11T4-A.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Potencia - Max
    50W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-15455-2
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    38 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50W Surface Mount D2PAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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