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2491731Imagen MJB45H11T4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJB45H11T4G

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2400+
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5600+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJB45H11T4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJB45H11T4G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    MJB45H11T4G-ND
    MJB45H11T4GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    40MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A
  • Número de pieza base
    MJB45H11

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