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1553444Imagen MJE18004GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE18004G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJE18004G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 450V 5A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJE18004G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    450V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    750mV @ 500mA, 2.5A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Potencia - Max
    75W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    MJE18004GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    13MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 5A 13MHz 75W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    14 @ 300mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    5A
  • Número de pieza base
    MJE18004

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Descripción: TRANS NPN 60V 3A TO-126

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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Descripción: TRANS PNP 80V 3A TO-126

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN 60V 3A TO225AA

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Descripción: TRANS NPN 450V 8A TO220AB

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Descripción: TRANS NPN 450V 6A TO-220AB

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Descripción: TRANS NPN 450V 5A TO220AB

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Descripción: TRANS NPN 450V 8A TO220AB

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