MJE18006G

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Especificaciones

Número de pieza

MJE18006G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 450V 6A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJE18006G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

450V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 600mA, 3A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

SWITCHMODE™
Potencia - Max

100W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

14MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 6A 14MHz 100W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

6 @ 3A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MJE180PWD

Descripción: TRANS NPN 40V 3A

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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