MJE18008

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Especificaciones

Número de pieza

MJE18008
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 450V 8A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJE18008.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

450V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 900mA, 4.5V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

SWITCHMODE™
Potencia - Max

125W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MJE18008OS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

13MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 8A 13MHz 125W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

14 @ 1A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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Descripción: TRANS NPN 450V 5A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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