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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NSS60600MZ4T3G

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Imagen NSS60600MZ4T3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSS60600MZ4T3G

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Especificaciones

Número de pieza

NSS60600MZ4T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 60V 6A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSS60600MZ4T3G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 600mA, 6A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

800mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

NSS60600MZ4T3GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

NSS60600

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