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NSV40300MDR2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NSV40300MDR2G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NSV40300MDR2G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    170mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    2 PNP (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    653mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 1A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A

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