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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > NSV40501UW3T2G

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NSV40501UW3T2G

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Especificaciones

Número de pieza

NSV40501UW3T2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSV40501UW3T2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 400mA, 4A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

3-WDFN (2x2)
Serie

-
Potencia - Max

875mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

150MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

5A

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