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Imagen NTJD2152PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD2152PT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTJD2152PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTJD2152PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Potencia - Max

270mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJD2152PT1GOS
NTJD2152PT1GOS-ND
NTJD2152PT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

775mA
Número de pieza base

NTJD2152P

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