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Imagen NTJD4001NT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD4001NT1

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Especificaciones

Número de pieza

NTJD4001NT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTJD4001NT1.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 100µA
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Potencia - Max

272mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJD4001NT1OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.3nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

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