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Imagen NTLLD4901NFTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLLD4901NFTWG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLLD4901NFTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLLD4901NFTWG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-WDFN (3x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

17.4 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max

800mW, 810mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

NTLLD4901NFTWGOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A, 6.3A

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