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Imagen NTLUD3A260PZTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUD3A260PZTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUD3A260PZTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUD3A260PZTBG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 2A, 4.5V
Potencia - Max

500mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-UFDFN Exposed Pad
Otros nombres

NTLUD3A260PZTBGOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A

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