NTLUF4189NZTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUF4189NZTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUF4189NZTAG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UFDFN Exposed Pad
Otros nombres

NTLUF4189NZTAG-ND
NTLUF4189NZTAGOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTLUD3A50PZTBG

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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